Fotodetektory są wykonywane z azotku galu
półprzewodnika, którego krawędź absorpcji światła
wynosi 365 nm. Bez stosowania kosztownych filtrów uzyskuje
się dużą czułość tylko dla ultrafioletu. Czułość dla światła
widzialnego lub słonecznego jest o kilka rzędów wielkości
mniejsza. Ta
unikalna cecha umożliwia wiele zastosowań przyrządu.
Dioda
p-i-n z GaN/AlGaN
| Typ |
Zakres
widmowy1)
[nm] |
Czułość2)
[A/W] |
Kontrast3) |
Prąd
ciemny4)
[nA] |
| Dioda
p-i-n UVA |
320
- 365 |
0,15
(λ0=350 nm) |
>103
|
<1 |
| Dida
p-i-n UVBA |
290
- 365 |
0,15
(λ0=310 nm) |
>103 |
<1 |
1) Patrz charakterystyki poniżej.
2) Czułość fotoelektryczna przy U=0V i λ
0
3) Kontrast pomiędzy UV i światłem widzialnym
4) Prąd ciemny przy UR= -1V
Stałe czasu zaniku prądu jasnego <= 1 µs przy RL=1kΩ
Powierzchnia czynna detektorów 0.8 mm2
Wykrywalność diod p-i-n > 1.5x10
12
cm Hz
1/2 W
-1
Dioda
Schottky z GaN/AlGaN
| Typ |
Zakres
widmowy1)
[nm] |
Czułość2)
[A/W] |
Kontrast3) |
Prąd
ciemny4)
[nA] |
| Dioda
Schottky UVC (solar blind) |
200
- 280 |
0,1
(λ0=275nm) |
>102 |
<10 |
| Dioda
Schottky UVB |
200
- 320 |
0,1
(λ0=285nm) |
>103
|
<10 |
| Dioda
Schottky UVA (visible blind) |
200
- 365 |
0,1
(λ0=350nm) |
>103 |
<10 |
1) Patrz charakterystyki poniżej.
2) Czułość fotoelektryczna przy U=0V i λ
0
3) Kontrast pomiędzy UV i światłem widzialnym
4) Prąd ciemny przy UR= -1V
Stałe czasu zaniku prądu jasnego <= 1 µs przy RL=1kΩ
Powierzchnia czynna detektorów 0.8 mm
2
Wykrywalność diod Schottky > 2x10
11
cm Hz
1/2 W
-1
